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一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法

  恳求号:201510255980.4

  恳求人:西安交通大年夜学

  发明人:吴胜利 张程高 魏强 王宏兴 胡文波 张劲涛

  摘要:本发明地下了一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,包罗以下步调:1)取金属钼基板,然后将金属钼基板经过金刚石粉停止研磨,再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中停止超声震动;2)将经步调1)处理后的金属钼基板经过MPCVD聚积装备以甲烷、氢气及氧气的混淆气体为反应气体停止金刚石薄膜发展,得用于二次电子发射的金刚石薄膜,个中,甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6:94-96:0-2,生出息程中MPCVD聚积装备的微波功率为4500-5000w,温度为1050-1100℃。本发明制备的金刚石薄膜具有较高的二次电子发射系数及更好的衰减特点。

  

  主权益请求:1.一种用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,包罗以下步调:1)取金属钼基板,然后将金属钼基板经过金刚石粉停止研磨,再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中停止超声震动,然后再对金属钼基板停止清洗;2)将经步调1)处理后的金属钼基板经过MPCVD聚积装备以甲烷、氢气及氧气的混淆气体为反应气体停止金刚石薄膜发展,得用于二次电子发射的金刚石薄膜,个中,甲烷、氧气及氧气的体积百分比为4-6:94-96:0-2,生出息程中MPCVD聚积装备的微波功率为4500-5000w,温度为1050-1100℃。

  2.依据权益请求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,所述金属钼基板的待聚积面为平面或圆弧面。

  3.依据权益请求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,当金属钼基板的待聚积面为平面时,步调1)的具体操作为:取金属钼基板,然后将金属钼基板经过金刚石粉停止研磨15-20min, 再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中停止超声震动 5-20min。

  4.依据权益请求2所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,当金属钼基板的待聚积面为圆弧面时,步调1)的具体操作为:取金属钼基板,然后将金属钼基板经过金刚石粉停止研磨 20-25min,再将研磨后的金属钼基板放置到金刚石粉的悬浊液中停止超声震动5-20min。

  5.依据权益请求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,步调1)中将金属钼基板经过粒径为1-10μm的金刚石粉停止研磨。

  6.依据权益请求1所述的用于二次电子发射的金刚石薄膜的制备方法,其特点在于,步调1)中的金刚石粉的悬浊液为金刚石粉的丙酮悬浊液。

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